特許
J-GLOBAL ID：200903070181766437
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228470
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077493
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【構成】 浮遊ゲート電極3及び制御ゲート電極5の側壁及びドレイン不純物拡散層6及びソース不純物拡散層7の浮遊ゲート電極3側端部を覆うように層間熱酸化膜8下に酸化剤を通さない窒化膜15を設ける。【効果】 層間熱酸化膜上に形成される層間絶縁膜の平坦化のための熱処理によるリフロー時に、ゲート電極の側壁及びソース及びドレインのゲート電極側端部が酸化されないので、ソース及びドレインのゲート電極側端部のゲート・バーズ・ビーグが厚くならないため、良好な特性と高い信頼性が得られる。
請求項（抜粋）：
ゲート電極とソース及びドレイン上を覆う層間熱酸化膜を有する半導体装置において、上記層間熱酸化膜下みにあって上記ゲート電極の側壁と上記ソース及び上記ドレインの上記ゲート電極側端部を酸化剤を通さない酸化防止用膜により覆ったことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
