特許

J-GLOBAL ID：200903070187902405

FETスイツチ装置

発明者： 藤原 正人
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070064
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090935
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 FETのOFF時におけるアイソレーション特性を広帯域化し、またON時における反射特性を改善したFETスイッチ装置を得る。【構成】 入力端子と第1の出力端子の間に接続される直列装荷側FETを、それぞれが並列インダクタンスを有する複数のFETを直列接続したものとし、また当該FETの直列接続を分布定数線路を介して行った。【効果】 2つの出力端子間のアイソレーション特性が広帯域化されて、所望の帯域外でのループ発振が抑制でき、また並列インダクタンスを含む直列装荷側FET間の反射を相殺して良好な反射特性が得られる。

請求項（抜粋）：

入力端子と第1の出力端子との間に直列接続された複数の第1のFETと、上記入力端子と分布定数線路を介して接続された第2の出力端子と基準電位との間に接続された第2のFETと、上記複数の第1のFET及び第2のFETにそれぞれ並列接続された複数のインダクタンスと、上記複数の第1のFETのゲート電極と上記第2のFETのゲート電極とに共通のバイアス電圧を加えるバイアス端子とを備えたFETスイッチ装置。