特許

J-GLOBAL ID：200903070191507189

半導体製品加熱用ヒータ

発明者： 平松 靖二 ,  伊藤 康隆
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 小川 順三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-300907
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229344
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ヒーターをシリコンウエハーの加熱に使用すると、シリコンウエハーに鉄やイットリウムが熱拡散してシリコンウエハーを汚染する。本発明は、この汚染を防止する方法を提供する。【解決手段】半導体加熱ヒータ100において、窒化物セラミックからなる板状体1の片面に発熱体のパターン2を形成し、板状体表面の少なくとも一部ににシリカなどを被覆した保護層3を形成する。また、板状体1の厚み方向に伝搬した熱を均一に拡散するために、さらに発熱体のパターン2を形成した面の反対面に熱伝導率の高い材料からなるプレーン層4を設けてもよい。

請求項（抜粋）：

窒化物セラミックからなる板状体の片面または内部に発熱体が形成されてなる半導体製品加熱用ヒータであって、板状体表面の少なくとも一部に保護層が形成されてなることを特徴とする半導体製品加熱用ヒータ。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H05B 3/20 393 ,  H05B 3/74

FI (3件)：

H01L 21/02 Z ,  H05B 3/20 393 ,  H05B 3/74

Fターム (26件)：

3K034AA02 ,  3K034AA03 ,  3K034AA08 ,  3K034AA10 ,  3K034AA16 ,  3K034AA19 ,  3K034AA34 ,  3K034BA02 ,  3K034BA04 ,  3K034BB06 ,  3K034BB14 ,  3K034BC04 ,  3K034BC12 ,  3K034JA10 ,  3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB02 ,  3K092QB04 ,  3K092QB43 ,  3K092QB47 ,  3K092QB61 ,  3K092QB63 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF17 ,  3K092RF22