特許
J-GLOBAL ID：200903070193308639
2つのキャッピング層を用いて集積回路構造上に改良型ケイ化コバルト層を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-094757
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284732
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 集積回路構造上にケイ化コバルト(CoSi2)導電層の形成する優れた方法を提供すること。【解決手段】 酸素ゲッタとしても作用するチタンから成る第1のキャッピング層を用い、第1のアニーリング・ステップに先だって、積層されたコバルト層を酸素を含みうる気体への露出からまず保護することによって、集積回路構造のシリコン表面上に一様な厚さでケイ化コバルト(CoSi2)を適切に形成できる。このチタン・キャップ(30)は、チタン層の上に窒化チタンから成る更なる保護キャッピング層を形成することによって、それ自身を、酸素を生じうる気体への露出から保護する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にMOS構造を形成する方法であって、ケイ化コバルト接点が、前記MOS構造のソース及びドレイン領域上と前記MOS構造のポリシリコン・ゲート電極上に形成されており、a)前記MOS構造上にコバルト層を形成するステップと、b)前記コバルト層を酸素を生じる気体に露出することなく、前記コバルト層上にチタン層を形成するステップと、c)前記チタン層を酸素を生じる気体に露出することなく、前記チタン層上に窒化チタン層を形成するステップと、d)前記MOS構造を第1の温度でアニーリングして、前記MOS構造の前記シリコン・ソース及びドレイン領域と前記ポリシリコン・ゲート領域との上にケイ化コバルトを形成するステップと、を含むことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/28 301
H01L 29/78 301 P
, H01L 21/28 301 T
