特許

J-GLOBAL ID：200903070196221348

有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法

発明者： 越山 良樹
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-209568
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041255
出願日： 2006年08月01日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：

【課題】基板11上に第1電極21と発光層を含む機能層31と第2電極41とからなる発光領域と、隔壁51とが複数形成された有機EL素子基材10と、接着層72が形成された封止基材70とを貼り合わせてなる有機EL素子100の製造方法であって、有機EL素子基板11と封止基材71の接着を向上させ、端部から侵入する水分の影響を長期にわたり抑制した有機EL素子100の製造方法および有機EL素子を提供する。【解決手段】有機EL素子基材10と封止基材70とを貼りあわせる工程の前に、有機EL素子基材10に対して、少なくともUVオゾン処理、プラズマ処理からなる表面洗浄処理を施すことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に第1電極と発光層を含む機能層と第2電極とからなる発光領域と、隔壁とが複数形成された有機エレクトロルミネッセンス素子基材と、接着層が形成された封止基材とを貼り合わせてなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、有機エレクトロルミネッセンス素子基材と封止基材とを貼りあわせる工程の前に、有機エレクトロルミネッセンス素子基材に対して、少なくともUVオゾン処理、プラズマ処理からなる表面洗浄処理を施すことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/04 ,  H01L 51/50

FI (3件)：

H05B33/10 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 A

Fターム (7件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC23 ,  3K107DD89 ,  3K107EE42 ,  3K107GG28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機EL素子の封止方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-187906   出願人：出光興産株式会社