不揮発性半導体記憶装置と、その製造方法及びその駆動方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067243
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195718
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】非選択セルの書き込みディスターブを防止するあまり、ブロックサイズや高速動作等が制約を受ける。【解決手段】各メモリセルごとに、電荷蓄積手段(例えばFG、電荷トラップ等)の蓄積電荷量に応じて情報を記憶するメモリトランジスタM1〜Mnと、そのソースと共通電位線CSLとの間、及びドレインとビット線BL1〜BLnとの間に接続された第1及び第2の選択トランジスタ(ST11〜STn1,ST12〜STn2)とを有する。かかる3トランジスタセル構成では、メモリトランジスタ分の専有面積が不要にできるゲート電極の近接配置が望ましい。また、当該3トランジスタセル構成のメモリブロックと、選択トランジスタ間にメモリトランジスタを複数有するメモリブロックとの間で、例えばデータの要求ビット品質に応じて書き込み対象を切替制御し、極力、面積増大を抑制するとよい。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積手段の蓄積電荷量に応じて情報を記憶するメモリトランジスタをメモリセル内に有する不揮発性半導体記憶装置であって、上記各メモリセルごとに、上記メモリトランジスタのソース又はドレインの一方とビット線との間に接続された第1の選択トランジスタと、当該メモリトランジスタのソース又はドレインの他方と共通電位線との間に接続された第2の選択トランジスタとを有する不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 27/115

FI (4件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 611 F , G11C 17/00 621 A , H01L 27/10 434

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