特許

J-GLOBAL ID：200903070205333278

表面処理装置

発明者： 高木 朋子 ,  中川 行人
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114235
公開番号（公開出願番号）：特開平9-279350
出願日： 1996年04月11日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：

【要約】【課題】 大型の電極を使用する場合でも電力効率を低下させることなく、基板に対する表面処理が高速で行えるようにする。【解決手段】 放電用ガスを放電させてプラズマを発生させるために真空容器1内に配置された電極体3の表面の一部は、高周波電流が流れる表面領域が制限できる程度に電極体3の材料とは電気伝導率の異なる導電性の被膜60で被覆されている。電力供給機構4によって電極体3に高周波電力が供給される際、高周波電流が流れる領域が被膜60の部分に限定される結果、真空容器1等の接地部に向かって流れる変位電流が低減され、これによって高周波電力の利用効率が向上する。

請求項（抜粋）：

排気系を備えた真空容器と、真空容器内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、放電用ガスを放電させてプラズマを発生させるために真空容器内に配置された電極体と、この電極体と真空容器とを絶縁する絶縁体と、電極体に高周波電力を供給する電力供給機構を具備し、生成したプラズマを利用して基板の表面を処理する表面処理装置において、前記電極体表面の一部は、高周波電流が流れる表面領域が制限できる程度に電極体の材料とは電気伝導率の異なる導電性の被膜で被覆されていることを特徴とする表面処理装置。

IPC (7件)：

C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46 ,  B23K 10/00 503

FI (7件)：

C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A ,  B23K 10/00 503 ,  H01L 21/302 B