特許

J-GLOBAL ID：200903070208604582

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  山口 直明 ,  須沢 英臣
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-153099
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321313
出願日： 1996年05月24日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【目的】 LDD領域を有する薄膜トランジスタの作製歩留りを向上させる。【構成】 アルミニウム膜304の表面に緻密な膜質を有する陽極酸化膜305を形成し、さらにレジストマスク300を用いて垂直異方性を有するドライエッチング法を用いてアルミニウム膜304と陽極酸化膜305との積層膜をエッチングする。この際、エッチングガスをSiCl4 、Cl2 、BCl3 を主成分としたものとする。こうすることにより、垂直異方性を維持し、かつアルミニウムの陽極酸化膜305をエッチングすることができる。

請求項（抜粋）：

アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする膜上に陽極酸化膜を形成する工程と、前記膜と該膜上の陽極酸化膜とを垂直異方性を有するドライエッチング方法でパターニングする工程と、を有し、前記ドライエッチングはSiCl4 、Cl2 、BCl3 を主成分とするガスを利用して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

H01L 29/78 616 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/302 F ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 617 W