特許

J-GLOBAL ID：200903070209075419

正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器

発明者： 三原 賢二良 ,  新見 秀明 ,  服部 陽子 ,  伴野 国三郎
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-002751
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208903
出願日： 1993年01月11日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 セラミックシート同士の接合力を向上して抵抗値のばらつきを小さくできる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器を提供する。【構成】 内部電極3が形成された半導体セラミックシート2を、該セラミックシート2と内部電極3とが交互に位置するように積層し、該積層体を一体焼結して焼結体4を形成し、これにより積層型半導体磁器1を構成する。そして上記内部電極3に窓状の開口部6(切欠部)を形成する。

請求項（抜粋）：

内部電極が形成された半導体セラミックシートを、該セラミックシートと内部電極とが交互に位置し、かつ内部電極の一端が交互に異なる方向に露出するように積層し、該積層体を一体焼結してなる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器において、上記内部電極に切欠部を形成したことを特徴とする正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-073607
  
• 特開昭55-088304
  
• 特開平4-287782