半導体装置とその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054322
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283694
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】アクティブマトリクス型電気光学装置に用いる薄膜絶縁ゲイト型電解効果トランジスタにおいて、逆バイアス時のリ-ク電流を減少せしめ、ゲイト電極とソース/ドレイン間の寄生容量の小さい半導体装置とその作製方法を提供する。【構成】絶縁ゲート型電解効果トランジスタにおいて、ゲイト電極の表面を陽極酸化せしめ、よって実質的なチャネル長をゲート電極のチャネル長方向の長さよりも長くすることにより、チャネル領域の両側部にゲート電極による電界の全くかからないあるいはゲート電極垂直下に比較して非常に弱いオフセット領域、あるいは非結晶性の不純物半導体領域を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に少なくとも半導体層、絶縁膜層および導体層を有する絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、チャネル長がゲイト電極のチャネル長方向の長さよりも長いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , G02F 1/136 500 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H , H01L 29/78 311 P

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-360580
特開昭58-023479
特開昭60-245174

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