特許

J-GLOBAL ID：200903070217482180

太陽電池の製造方法

発明者： 小西 史人 ,  澁谷 尚
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238095
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075148
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、シリコンウエハの拡散処理によって得られたシリコンウエハの裏面側のN+層の除去に当り、スクリーン印刷法による耐酸性レジストの塗布等、またフッ硝酸によるシリコンウエハ裏面のエッチング処理等のウエットプロセスを行う必要がない新規な太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の太陽電池の製造方法は、一導電型シリコンウエハの全面に逆導電型層を形成する第1工程と、上記一導電型シリコンウエハの裏面側の上記逆導電型層上にそのウエハの裏面周辺部に沿って、エネルギビームを照射し、上記シリコンウエハの裏面の逆導電型層を島状に分離する第2工程と、上記シリコンウエハの裏面に形成された島状の逆導電型層の領域に一導電型不純物を導入し、その領域に一導電型層を形成する第3工程と、上記シリコンウエハの裏面の一導電型層上に裏面電極を形成すると共に、上記シリコンウエハの一主面に形成された上記逆導電型層上に表面電極を形成する第4工程と、からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一導電型シリコンウエハの全面に逆導電型層を形成する第1工程と、上記一導電型シリコンウエハの裏面側の上記逆導電型層上にそのウエハの裏面周辺部に沿って、エネルギビームを照射し、上記シリコンウエハの裏面の逆導電型層を島状に分離する第2工程と、上記シリコンウエハの裏面に形成された島状の逆導電型層の領域に一導電型不純物を導入し、その領域に一導電型層を形成する第3工程と、上記シリコンウエハの裏面の一導電型層上に裏面電極を形成すると共に、上記シリコンウエハの一主面に形成された上記逆導電型層上に表面電極を形成する第4工程と、からなることを特徴とする太陽電池の製造方法。