特許

J-GLOBAL ID：200903070220674383

ガスセンサの製造方法

発明者： 窪田 一成
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-342950
公開番号（公開出願番号）：特開平6-194330
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】感ガス層の抵抗値の均一性に優れるガスセンサを得る。【構成】金属酸化物半導体の粉体を貴金属塩の溶液中に浸漬し、熱処理して蒸発源を調製し、次いでこれを蒸発して基板上に感ガス層を成膜する。

請求項（抜粋）：

金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用してガスの有無を検出するガスセンサの製造方法であって、(1)蒸発源調製工程と、(2)蒸着工程とを有し、蒸発源調製工程は、金属酸化物半導体の粉体を貴金属塩の溶液中に浸漬して金属酸化物半導体の粉体の表面に貴金属塩を付着させ次いで熱処理し貴金属を担持した金属酸化物半導体からなる蒸発源を調製する工程であり、蒸着工程は前記蒸発源を用いて、貴金属を担持した金属酸化物半導体からなる感ガス層を基板上に成膜する工程であることを特徴とするガスセンサの製造方法。