特許
J-GLOBAL ID：200903070221192153
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174623
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021213
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し,半導体基体に素子領域を区画する深いトレンチと素子領域内に分離帯となる浅いトレンチを精度よく形成する方法を目的とする。【構成】 第1のマスクを用いて半導体基体3をエッチングして浅いトレンチ7を形成した後全面に絶縁膜8を被着し, 深いトレンチ形成用の第2のマスク9を用いて絶縁膜8をエッチングして開口8aを形成し, 第2のマスク9及び開口8aの形成された絶縁膜8をマスクにして半導体基体1, 2, 3 をエッチングして深いトレンチ10を形成するように構成する。また,第1のマスクを用いて半導体基体3をエッチングして浅いトレンチを形成した後全面に表面がなだらかな絶縁膜を形成し, 深いトレンチ形成用の第2のマスクを用いて絶縁膜をエッチングして開口を形成し, 開口の形成されたなだらかな絶縁膜をマスクにして半導体基体1, 2, 3 をエッチングして深いトレンチ10を形成するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基体(1, 2, 3) に素子領域を区画する深いトレンチ及び該素子領域内の分離帯となる浅いトレンチを形成するに際し,第1のマスク(6) を用いて該半導体基体(3) をエッチングして浅いトレンチ(7) を形成した後全面に絶縁膜(8) を被着し,深いトレンチ形成用の第2のマスク(9) を用いて該絶縁膜(8) をエッチングして開口(8a)を形成し,該第2のマスク(9) 及び該開口(8a)の形成された絶縁膜(8) をマスクにして該半導体基体(1, 2, 3) をエッチングして深いトレンチ(10)を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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