特許

J-GLOBAL ID：200903070221358302

層間絶縁膜の形成方法

発明者： 佐藤 伸良 ,  徳永 恭二 ,  片桐 智治 ,  橋本 毅 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231840
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003258
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】 成膜速度が速く、低温で成膜しても良好な平坦性を得ることができる層間絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】 半導体装置の半導体素子と金属配線間、あるいは金属配線同士の間に形成する層間絶縁膜を、有機シラン材料を原料ガスに用い、オゾンを酸化剤に用いて、加圧下において化学蒸着法で形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

半導体装置の半導体素子と金属配線間、あるいは金属配線同士の間に形成する層間絶縁膜を、有機シラン材料を原料ガスに用い、オゾンを酸化剤に用いて、加圧下において化学蒸着法で形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316