特許
J-GLOBAL ID：200903070223789017
安定化制御電子源、電子源のマトリックスシステムおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
社本 一夫
, 今井 庄亮
, 増井 忠弐
, 小林 泰
, 富田 博行
, 大塚 就彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-547637
公開番号（公開出願番号）：特表2005-508065
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
基板上にエピタキシャル成長されたウイスカで電界エミッタが形成される電子源を提案する。バラスト抵抗器および能動領域は、電界エミッタの本体中および/または表面に配置される。バラスト抵抗器は、n-n+、p-p+、p-n半導体接合の形で障壁として、または電荷担体の流れを横切る絶縁層として実現することができる。そのような電子源を制御する構成要素は、垂直に配列される。これによって、その構成要素の占める面積を著しく減少することができるようになり、更に、そのようにして装置の分解能を向上させることができるようになり、その用途の分野を広げることができる。それによって、ウイスカ成長電界エミッタにより、小さな電圧を用いて強い電界で放出電流を制御することができる。
請求項（抜粋）：
電界エミッタ、基板、電荷担体の供給源、及び少なくとも1つのバラスト抵抗器を含む電子源であって、
前記電界エミッタが、前記基板上にエピタキシャル成長されたウイスカで実現され、
少なくとも1つのバラスト抵抗器が、前記電界エミッタの本体中に境界として表される障壁として実現され、前記境界が異なる種類の導電性を有する材料の接触で形成される電子源。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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