特許

J-GLOBAL ID：200903070231634707

薄膜トランジスタとその製造方法

発明者： 品川 陽明 ,  田中 武 ,  小野 記久雄 ,  小川 和宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227848
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067782
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】逆スタガー型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜窒化シリコンの珪素の組成比を大きくすることにより、チャネル領域へのエネルギービームの照射により製造する結晶性薄膜トランジスタの性能の向上と均一化を共に達成する。【構成】硝子基板1上にAlゲート電極2と、その陽極化成によりAl2O3ゲート絶縁膜3を形成する。次いで、珪素原子と窒素原子の組成比が0.75以上0.90以下、もしくは珪素原子と窒素原子にそれぞれ結合した水素原子の量の比が0.50以上6以下となる窒化シリコンを2層目のゲート絶縁膜4として堆積させる。次いで、その上に非晶質シリコン5を堆積し、エネルギービーム6の照射により結晶化させる。

請求項（抜粋）：

チャネル領域がエネルギービームを照射して形成した多結晶シリコン膜である逆スタガー型の多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、チャネル領域の下地となるゲート絶縁膜が、エネルギービームの照射によりチャネル領域のシリコンが融解した際に、その熱を受けチャネル領域との界面に結晶核となる成分を偏析する材質を用いたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/62

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 Y