特許

J-GLOBAL ID：200903070234252180

半導体装置の製造方法

発明者： 真鍋 幸二 ,  八尾 健之
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-096321
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307306
出願日： 1994年05月10日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】基板裏面電極特性を向上させることにより、高性能の高耐圧用または電力用半導体装置を高歩留まりで得ることのできる製造方法を提供すること【構成】上記目的は、下記工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法とすることによって達成することができる。すなわち、半導体基板表面に所定の不純物拡散層を設けて半導体装置の能動領域を形成する工程、半導体基板の裏面を所定の厚さだけ除去する工程、半導体基板の裏面に電荷を内存する薄膜を形成する工程、上記薄膜を除去する工程、半導体基板の裏面に、再度、電荷を多量に内存する薄膜を形成する工程、半導体基板の裏面に金属膜を形成する工程を含む製造方法である。

請求項（抜粋）：

下記工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体基板表面に所定の不純物拡散層を設けて半導体装置の能動領域を形成する工程、半導体基板の裏面を所定の厚さだけ除去する工程、半導体基板の裏面に電荷を内存する薄膜を形成する工程、半導体基板の裏面に金属膜を形成する工程。