特許

J-GLOBAL ID：200903070235001385

窒化物半導体成膜方法

発明者： 中田 嘉信 ,  奥村 元
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (2件)： 福田 武通 (外3名) ,  福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-042003
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242055
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】高性能な窒化物半導体の成膜方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1上にGaのバリア層2を形成した後に、GaNの薄膜3,4を成長させる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハ上に窒化物半導体をヘテロエピタキシャル成長させる窒化物半導体成膜方法であって、上記窒化物半導体の非窒化成分を0.05から5原子層の厚さに上記半導体ウエーハ上に成膜してバリア層とし、該バリア層上に上記窒化物半導体を成膜することを特徴とする窒化物半導体成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/203 S ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-292320   出願人：松下電子工業株式会社
• 窒化ガリウム単結晶薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-001610   出願人：日本電気株式会社