特許
J-GLOBAL ID：200903070238050530
SOIウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-219308
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063730
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】SOI層の要求膜厚レベルが非常に小さい場合においても、ウェーハ内の膜厚均一性及びウェーハ間の膜厚均一性の双方を十分小さいレベルに軽減できるSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】得るべきSOI層5の厚さに応じて結合シリコン単結晶薄膜15の厚さを調整するために、剥離用イオン注入層形成工程における剥離用イオン注入層4の第一主表面Jからの形成深さd1+txを、イオン注入のエネルギーにより調整する。そして、剥離用イオン注入層4の第一主表面Jからの形成深さが小さくなるほど、イオン注入のドーズ量を小さく設定する。ドーズ量が小さくなれば、剥離面の面粗さも小さくなり、平坦化工程における結合シリコン単結晶薄膜の剥離面の研磨代を小さく設定することができる。その結果、薄いSOI層を形成する場合に、該SOI層の膜厚均一性を向上させることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第一基板とシリコン単結晶からなる第二基板との少なくともいずれかの第一主表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記第二基板の第一主表面側のイオン注入表面からイオンを打ち込むことにより剥離用イオン注入層を形成する剥離用イオン注入層形成工程と、
前記剥離用イオン注入層が形成された前記第二基板と、前記第一基板との前記第一主表面同士を、前記絶縁膜を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、
該貼り合わせ工程の後、SOI層となるべき結合シリコン単結晶薄膜を、前記第二基板より前記剥離用イオン注入層において剥離する剥離工程と、
前記結合シリコン単結晶薄膜の剥離面側を平坦化して前記SOI層とする平坦化工程と、を含み、
得るべきSOI層の厚さに応じて前記結合シリコン単結晶薄膜の厚さを調整するために、前記剥離用イオン注入層形成工程における前記剥離用イオン注入層の前記イオン注入表面からの形成深さを、イオン注入のエネルギーの大きさにより調整するとともに、前記剥離用イオン注入層の前記イオン注入表面からの形成深さが小さくなるほど、前記イオン注入のドーズ量を小さく設定することを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/12 B
, H01L21/265 Q
審査官引用 (2件)
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「ここまできたイオン注入技術 初版」, 19910625, pp. 34-35
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「ここまできたイオン注入技術 初版」, 19910625, pp. 34-35
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