特許
J-GLOBAL ID：200903070241244699
レジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152579
公開番号（公開出願番号）：特開平5-341536
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 良好な形状のレジストパターンが得られる、化学増幅型レジストを用いたレジストパターン形成方法を提供する。【構成】 レジスト膜表面あるいはレジスト膜と基板の界面付近の塩基性物質を除去するため、基板表面、あるいはレジスト膜表面に酸処理、プロトン照射処理、塩基性試薬処理等を施す。【効果】 酸性物質との中和作用等により塩基性物質が除去され、化学増幅型レジスト中の酸発生剤から発生されるH+ の死活を防ぐことができ、その結果、良好な形状のレジストパターンが得られる。
請求項（抜粋）：
基体上に光酸発生剤を含むレジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜表面に酸処理を施す工程と、このレジスト膜を選択的に露光する工程と、このレジスト膜を現像する工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/38 501
, H01L 21/027
