特許
J-GLOBAL ID：200903070242137977
半導体装置の製造方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049321
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251363
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】CVD装置においてウエハを処理室内に搬入する際のフレーク等の舞い上がりを防止する。【構成】CVD装置の半導体ウエハ処理室にマスフローコントローラを取付け前記コントローラにより処理室が大気圧と同じになった時点を判別するものとする。【効果】CVD装置の処理室が大気圧と同等になった時のみウエハの搬入が可能となるので、フレーク等の舞い上がりがなくなるので歩留が大幅に向上する。
請求項（抜粋）：
密閉された半導体ウエハ処理室において半導体ウエハを処理する半導体ウエハの処理方法において、前記処理室に所望のガスを流入させ半導体ウエハの表面処理を行う工程と、前記処理室に流入させた前記ガスを一方より不活性ガスを流入させ他方より前記ガスを排気することにより、前記所望の不活性ガスを置換させた後、処理室に接続されたマスフローメータにより処理室内の気圧が大気圧と同等になったことを確認する工程と、前記確認後半導体ウエハ処理室よりウエハを搬出することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/285
