半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-330606
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166924
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ウェハ上に形成された半導体素子を個々のチップに切断分割するために必要な、グリッドラインの形成方法に関するもので、グリッドライン上のシリサイド膜の剥離によるワイヤボンディング不良、エッチャーなどの金属汚染を起こさない方法を提供することを目的とするものである。【構成】前記目的達成のために本発明は、グリッドライン領域203内のダイシングソー領域205に酸化膜を形成し、その酸化膜以外のグリッドライン領域に高融点金属膜207を形成、その高融点金属膜207の上に配線金属を形成するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板としてのウェハ上に、半導体素子を形成したあとダイシングソーで個々のチップに切断分割するために設けるグリッドライン領域を形成する方法として、(a)前記グリッドライン領域内の、前記ダイシングソーで切断する部分であるダイシング領域に絶縁膜を形成する工程と、(b)前記ダイシング領域以外の前記グリッドライン領域に、高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、(c)前記高融点金属シリサイド膜上に、金属膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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