特許
J-GLOBAL ID：200903070246051015
位相反転マスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329023
公開番号（公開出願番号）：特開平6-130650
出願日： 1992年11月16日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 製造工程を単純化させた、位相反転マスクおよびその製造方法を提供する。【構成】 透光性基板上に金属層を形成しその上に第1マスクを形成する。第1マスク層をパターニングして相互間所定間隔を有する複数の第1マスクパターンを形成する。第1マスクパターンをマスクとして金属層に所定イオンを注入して金属層をイオン注入された第1領域とイオン注入されない第2領域とを形成する。第1マスクパターンを除去した後、前記第1領域および第2領域上に第2マスク層を形成する。前記第2マスク層の中、偶数番目の第1領域の上側に該当する部分を除去して複数の第2マスクパターンを形成する。第2マスクパターンをマスクとしてエッチングを行って偶数番目の第1領域を除去する。第2マスクパターンを除去し、熱処理を施して奇数番目の第1領域を透光性を有する位相反転部に、第2領域を遮光部に切り換える。
請求項（抜粋）：
透光性基板;前記透光性基板上に所定間隔をおいて形成される複数の位相反転部;前記位相反転部と同一の厚さを有し、各位相反転部の両側面に各々1つずつ形成される複数の遮光部;を含むことを特徴とする位相反転マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
