特許

J-GLOBAL ID：200903070246922733

半導体薄膜の製造方法

発明者： 長瀬 智美 ,  大家 利彦 ,  榊原 実雄
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院四国工業技術研究所長 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080504
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277537
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 ゾル-ゲル法又はスプレー熱分解法により形成された前駆体から、簡単な手段で、しかも元素の添加を行うことなく、光学的、電気的物性が制御された半導体薄膜を製造することを目的とする。【解決手段】 基板上に遷移金属カルコゲニド含有ゲル薄膜を形成させたのち、これに活性線を照射して半導体薄膜を製造するに当り、前記遷移金属カルコゲニドのバンドギャップよりも高いエネルギーを有する活性線を照射して電子励起させること、及びこの際活性線のエネルギー密度を変えて、生成する半導体薄膜の光学的、電気的物性を制御することにより製造する。

請求項（抜粋）：

基板上に遷移金属カルコゲニド含有ゲル薄膜を形成させたのち、これに活性線を照射して半導体薄膜を製造するに当り、前記遷移金属カルコゲニドのバンドギャップよりも高いエネルギーを有する活性線を照射して電子励起させること、及びこの際活性線のエネルギー密度を変えて、生成する半導体薄膜の光学的、電気的物性を制御することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/36 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/36 ,  H01L 21/20

Fターム (5件)：

5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BB07 ,  5F052DA10 ,  5F052DB10