特許

J-GLOBAL ID：200903070252318546

セラミックシンチレータの製造方法、セラミックシンチレータ、シンチレータブロック、X線検出器およびX線CT撮像装置

発明者： 玉 谷 正 昭 ,  奥 村 美 和 ,  松 田 直 寿 ,  高 原 武 ,  福 田 幸 洋
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-275163
公開番号（公開出願番号）：特開2000-171563
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 焼結時の圧力、歪み、化学量論組成のずれ等により発生する着色と、ダイシング等の加工時に発生する着色とを全面的に除去する。【解決手段】 希土類オキシ硫化物焼結体を、イオウと酸素の混合雰囲気中で900°C〜1200°Cの温度により熱処理を施し、焼結体の表面に島状の希土類酸化物相を形成することにより、セラミックシンチレータを製造する。したがって、このセラミックシンチレータは、希土類オキシ硫化物からなる焼結体と、この焼結体の表面に形成された希土類酸化物相と、を備え、かつ、前記焼結体の前記表面で希土類硫化物相または前記希土類酸化物相が分散状態にあることになり、光出力特性が改善される。

請求項（抜粋）：

SO2およびSO3の少なくとも1種を生成するステップと;SO2およびSO3の少なくとも1種と希土類オキシ硫化物からなる焼結体とを900〜1200°Cで反応させるステップと;前記ステップの反応により前記焼結体の表面に希土類酸化物相を形成するステップと;を備えることを特徴とするセラミックシンチレータの製造方法。

IPC (5件)：

G01T 1/202 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/84 CPD ,  G01T 1/20

FI (5件)：

G01T 1/202 ,  C09K 11/00 E ,  C09K 11/08 B ,  C09K 11/84 CPD ,  G01T 1/20 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• セラミックシンチレータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-359890   出願人：株式会社東芝