特許

J-GLOBAL ID：200903070255299933

半導体装置及びその製造方法

発明者： ヨハネス アントニウス デ ポールテル ,  アドリアン フアルステル
出願人/特許権者： エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-125080
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152682
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】メサ構造の半導体装置の改良。【構成】半導体基板1上に平行な半導体層から成る半導体層構造体D3を形成し、この層構造体に第1の部分だけから成るメサ12を形成する。半導体層構造体D3は基板1側にへこんだくぼみ領域11を有し、メサ12はくぼみ領域内に形成する。この結果、メサは保護されることになる。しかも、へき開処理中にメサ12の近傍に損傷が生ずるのを防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を有する半導体本体を具え、半導体基板上に互いにほぼ平行な半導体層から成る半導体層構造体が形成され、この半導体層構造体の表面に、この半導体層構造体の第1の部分だけを有するメサが形成され、半導体層構造体のメサを構成しない第1の部分がメサの両側にメサよりも下側に位置する半導体装置において、前記半導体層構造体がくぼみ領域を有し、このくぼみ領域内において半導体層構造体が少なくとも部分的に半導体基板側にくぼみ、このくぼみ領域内に前記メサが位置することを特徴とする半導体装置。