GaAsヘテロ構造金属絶縁体半導体およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-356689
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055558
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】ヘテロ構造金属・絶縁体・半導体装置およびその製法を提供。【構成】集積回路において、ゲート電流漏れが少なく、より大きな電圧スイング範囲を有すGaAs FET30を設ける。

請求項（抜粋）：

ヘテロ構造金属絶縁体半導体を製造する方法において,半導体GaAs基板(12)の上に0.2ミクロンから1.0ミクロンの不純物を添加しないGaAs層(14)を成長させる工程と;不純物を添加しないGaAs層(14)の上に20オングストロームから150オングストロームのn型不純物を添加したInGaAs層(16)を成長させる工程と;n型不純物を添加したInGaAs層(16)の上に20オングストロームから150オングストロームの不純物を添加しないInGaAs層(18)を成長させる工程と;不純物を添加しないInGaAs層(18)の上に25オングストロームから250オングストロームの不純物を添加しないAlGaAs層(20)を成長させて、上記の全ての層から成る積層構造(11)を形成する工程と;積層構造(11)を約摂氏300度に加熱する工程と;不純物を添加しないAlGaAs層(20)の上に約4オングストロームから20オングストロームの酸素にさらされるとSiO2 になるケイ素(22)を成長させる工程と;4オングストロームから20オングストロームのSiO2 になるケイ素(22)の上に75オングストロームから500オングストロームSiO2 層(24)を成長させて、4オングストロームから20オングストロームのSiO2 (22)と組合わせて絶縁体を形成する工程と;絶縁体(24)の上に5オングストロームから10000オングストロームのケイ化金属層(26)を蒸着する工程と;ケイ化金属層(26)をマスクで覆う工程と;ケイ化金属層(26)から反応性イオンエッチングによってメサをエッチングする工程と;ケイ化金属層(26)からメサを連続するためにプラズマによってSiO2層(24)をエッチングする工程と;SiO2 層(24)からメサを連続するためにSi層(22)をエッチングする工程と;不純物を添加しないAlGaAs層(20)と,不純物を添加しないInGaAs層(18)と,n型不純物を添加したInGaAs層(16)とに複数のイオン注入ボリューム(28)を形成する工程と;AlGaAs層(20)の上のイオン注入ボリューム(28)上にオーム接点(32,34)を形成する工程とから成るヘテロ構造金属絶縁体半導体を製造する方法。

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開昭62-274783
特開昭62-274783
特開平2-026073

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