特許

J-GLOBAL ID：200903070259776612

プラズマ処理装置

発明者： 岡本 誓行
出願人/特許権者： 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296590
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153597
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 反応室内の反応ガス圧力が低いときでも確実に反応室内にプラズマを発生させることができ、例えばウエハの精密加工も可能になる。【構成】 この発明のプラズマ処理装置は、反応室1に隣接して設けられた副反応室10と、この副反応室10内に配設された副電極12とを備え、副電極12に高電圧を印加させ副反応室10内にプラズマを生じさせた後、このプラズマを反応室1内に導入し反応室1内にプラズマを発生させるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

反応ガスの入った反応室内の電極に高電圧を印加してプラズマを発生させるプラズマ処理装置において、前記反応室に隣接して設けられ反応ガスが入った副反応室と、この副反応室内に配設された副電極とを備え、前記副電極に高電圧を印加して副反応室内にプラズマを生じさせた後、このプラズマを前記反応室内に導入し反応室内にプラズマを発生させるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065