特許
J-GLOBAL ID：200903070262593316
結晶欠陥評価装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-057315
公開番号（公開出願番号）：特開平6-273357
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【構成】 X線源2から複数種類の特性X線χ0 を出力し、そのうちの1種χ1をモノクロメータ3により選定して試料sに入射させる。試料sからの全反射X線χ2 の強度をカウンタ5により計測し、回折X線χ3 はカウンタ6により計測する。これらの計測データを制御装置8が取込み、評価処理に使用する。ステージ1は試料sの結晶方位を可変とすべく回転駆動される。X線管陰極としては、モザイクターゲット、組立てターゲット、部分メッキが施されたターゲット、合金製ターゲット、気相成長で作成したターゲット等の各種のターゲットを採用可能である。【効果】 Si結晶方位精度に関係なくその特性X線を適切に選択することにより全反射条件とブラッグ条件とを同時に満たすことが可能となる。
請求項（抜粋）：
複数種の特性X線を発生するX線源と、前記複数の特性X線のうちの1種を選定して試料に入射させる特定波長X線取出し手段と、前記試料を設置するための回転可能なステージと、前記試料表面からの反射X線強度を計測する第1の計測手段と、前記試料からのブラッグ回折X線強度を計測する第2の計測手段とを備えていることを特徴とする結晶欠陥評価装置。
IPC (2件)：
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