特許

J-GLOBAL ID：200903070266067287

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 広瀬 満 ,  田中 聖也 ,  作島 史朗
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-116994
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326756
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 非晶質半導体膜の一方側にゲート絶縁膜とゲート電極を設け、この非晶質半導体膜の他方側にソース電極とドレイン電極を分離して設けた薄膜トランジスタにおいて、前記非晶質半導体膜のソース電極およびドレイン電極側に、厚みが5〜20Åの窒化シリコン膜から成るバリヤ層を設けた。【効果】 上記のような構造としたことにより、ソースおよびドレイン電極および薄膜絶縁層および非晶質半導体膜からなるMISトンネルダイオードが形成され良好なコンタクトが得られる。またソース電極およびドレイン電極の下に窒化シリコン膜から成るバリヤ層を形成することから、電極から半導体への金属の拡散を防止できる。

請求項（抜粋）：

非晶質半導体膜の一方側にゲート絶縁膜とゲート電極を設け、この非晶質半導体膜の他方側にソース電極とドレイン電極を分離して設けた薄膜トランジスタにおいて、前記非晶質半導体膜の他方側に、厚みが5〜50Åの窒化シリコン膜または炭化シリコン膜から成るバリヤ層を設けたことを特徴とする薄膜トランジスタ。