特許

J-GLOBAL ID：200903070268359927

シリコンステンシルマスクの製造方法

発明者： 片倉 則浩
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-064491
公開番号（公開出願番号）：特開平10-260523
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 シリコンステンシルマスクの製造の過程で破壊等の問題が生じないシリコンステンシルマスクの製造方法を提供する。【解決手段】 ボロンドープ層が形成されたシリコン基板を用意する工程と、前記ボロンドープ層の途中までパターンを形成する工程と、前記パターンが形成されたシリコン基板全体に窒化珪素膜を成膜するとともに、前記パターン領域に対応する反対面位置の窒化珪素膜に開口をそれぞれ形成する工程と、前記窒化珪素膜をマスクとして、前記シリコン基板のシリコン部分をウエットエッチング法により前記ボロンドープ層までエッチングして凹部を形成する工程と、前記窒化珪素膜を除去後、前記シリコン部分をエッチングした方向と同一方向から、再び前記ボロンドープ層をドライエッチングして前記ボロンドープ層に形成されたパターンを貫通させる工程と、を備えたシリコンステンシルマスクの製造方法。

請求項（抜粋）：

ボロンドープ層が形成されたシリコン基板を用意する工程と、前記ボロンドープ層の途中までパターンを形成する工程と、前記パターンが形成されたシリコン基板全体に窒化珪素膜を成膜するとともに、前記パターン領域に対応する反対面位置の窒化珪素膜に開口をそれぞれ形成する工程と、前記窒化珪素膜をマスクとして、前記シリコン基板のシリコン部分をウエットエッチング法により前記ボロンドープ層までエッチングして凹部を形成する工程と、前記窒化珪素膜を除去後、前記シリコン部分をエッチングした方向と同一方向から、再び前記ボロンドープ層をドライエッチングして前記ボロンドープ層に形成されたパターンを貫通させる工程と、を備えたシリコンステンシルマスクの製造方法。

IPC (3件)：

G03F 1/16 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

G03F 1/16 B ,  H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/306 B