特許

J-GLOBAL ID：200903070270269730

半導体装置およびその製造方法

発明者： 三浦 博
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-189082
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022313
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 シード部の熱環境を整え、また、デバイスの設計余裕度を向上させるのに、複雑な工程,特別な基板を用いる必要性をなくし、かつ、基板と単結晶半導体薄膜とを電気的に完全に分離することの可能なSOI構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 この半導体装置は、単結晶半導体基板1として(100)面の単結晶Si基板を用い、また、フッ素化合物3としてCaF2を用い、半導体薄膜6としてSi薄膜を用いている。この場合、単結晶Si基板1上に一部開口部4を有する絶縁膜2を形成し、この部分にヘテロエピタキシャル成長法によりCaF2/Siの二層膜(CaF2層上にSi(シリコン)層が形成された膜)を選択的に成長し、次いで、基板全体にSi薄膜6を形成した後、CaF2/Siの二層膜をシード部として、その上に積層されたSi薄膜6を単結晶化する。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板と、該単結晶半導体基板の表面上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の一部に設けられた開口部において露出している基板の表面上にエピタキシャル成長により形成されたフッ素化合物と、前記フッ素化合物および絶縁膜上に形成された半導体薄膜とを有していることを特徴としている半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/12