半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-263401
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102599
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】半導体装置において、ソフトエラーと、それ以外のエラー区別し不良部分の断定を容易にして、保守性の向上を実現する。【解決手段】メモリセル8が訂正可能なエラー状態であるとき、メモリセル8へのアクセスタイムより十分に高速動作が可能で、ソフトエラーの発生しないキャッシュデータレジスタ16を持つ訂正データ代替キャッシュ部10により、その訂正データを代替してエラーの蓄積を防止する。キャッシュディレクトリ12内にアクセス装置による再書き込み動作により、エラーの回復処理が行われたことを示す再書き込みフラグ14と、再書き込みによるエラー回復処理を行っても再度エラーが発生したことを示す再書き込み再発フラグ13とを設け、その制御を再書き込み再発エラー検出回路18により行う。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを備えるデータ記憶部と、前記データ記憶部の前記メモリセルから読み出されたデータにエラーが存在するかどうかを検出し、訂正可能エラーであれば、訂正データを作成するエラー検出・訂正回路と、前記訂正データと前記訂正データに対応するアドレスとを専用に格納する訂正データ代替キャッシュ部とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 655 , G06F 11/10 320 , G06F 12/16 310

FI (3件)：

G11C 29/00 655 Z , G06F 11/10 320 K , G06F 12/16 310 P

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-219700
特開平3-116258
特開昭63-278162

全件表示

審査官引用 (1件)

特開平4-219700

前のページに戻る