特許

J-GLOBAL ID：200903070272879161

記憶装置

発明者： 宮脇 守
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-099708
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307400
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 大容量、低コスト、書き込み可能、書き込み、読出しスピードが早く、高信頼性、低消費電力が実現できる記憶装置をえる。【構成】 基板60上に、一導電型の第1の半導体領域58と、該第1の半導体領域と接する該一導電型とは反対導電型の第2及び第3の半導体領域54と、該第2の半導体領域と該第3の半導体領域を隔てる領域上に絶縁層59を介して設けられた第1の電極56と、該第1の電極上に絶縁層61を介して設けられた第2の電極51と、を有する記憶装置において、前記第1の電極56と前記第2の電極51との抵抗値を高抵抗状態から低抵抗状態に変化させる。

請求項（抜粋）：

基板上に、一導電型の第1の半導体領域と、該第1の半導体領域と接する該一導電型とは反対導電型の第2及び第3の半導体領域と、該第2の半導体領域と該第3の半導体領域を隔てる領域上に絶縁層を介して設けられた第1の電極と、該第1の電極上に絶縁層を介して設けられた第2の電極と、を有する記憶装置において、前記第1の電極と前記第2の電極との抵抗値を高抵抗状態から低抵抗状態に変化させることを特徴とする記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D ,  H01L 27/10 434