特許
J-GLOBAL ID:200903070274356930

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 徳若 光政
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-075274
公開番号(公開出願番号):特開平6-259986
出願日: 1993年03月09日
公開日(公表日): 1994年09月16日
要約:
【要約】【目的】 高速モードにおける高速性と低速モードにおける低消費電力性とをあわせて確保したシングルチップマイクロコンピュータ等を実現する。【構成】 リードオンリーメモリを内蔵しかつ高速モード及び低速モードを有するシングルチップマイクロコンピュータ等に、その出力電位がクロック信号の周波数に比例して変化される周波数電圧変換回路FVCを設け、この周波数電圧変換回路FVCの出力電圧を、リードオンリーメモリのリードアンプRAを構成する単位リードアンプURA0〜URA15の駆動MOSFETN3のゲートに制御電圧VGとして供給する。これにより、高速モードにおいては、制御電圧VGの電位を高くしてリードアンプRAを高速動作させ、低速モードにおいては、制御電圧VGの電位を低くしてリードアンプRAの消費電力を削減する。
請求項(抜粋):
そのゲート又はベースに所定の制御電圧を受けることで電流源として作用するトランジスタを含み、上記制御電圧の電位が動作モードに応じて選択的に変化されることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
G11C 17/18 ,  G06F 15/78 510 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/04
FI (2件):
G11C 17/00 306 Z ,  H01L 21/82 S

前のページに戻る