特許
J-GLOBAL ID：200903070277179966
光導波路の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227973
公開番号（公開出願番号）：特開平5-066314
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 小さな励起光パワ-で高光パワ-を得ることが可能な光導波路の形成方法を提供する。【構成】 単結晶からなる基板の表面にアモルファス層を形成する工程と,前記アモルファス層の光導波路を形成すべき部分にレ-ザビ-ムを照射して,前記光導波路に沿って前記基板とレ-ザビ-ムを相対的に高速スキャンし,前記光導波路を溶融する工程と,前記高速スキャンの状態で前記レ-ザビ-ムのパワ-を徐々に弱めて前記アモルファス層の下部付近を単結晶化する工程と,前記高速スキャンの状態で前記レ-ザビ-ムのパワ-を更に弱めて光導波路全体を単結晶化する工程を含んでいる。
請求項（抜粋）：
単結晶からなる基板の表面にアモルファス層を形成する工程と,前記アモルファス層の光導波路を形成すべき部分にレ-ザビ-ムを照射して,前記光導波路に沿って前記基板とレ-ザビ-ムを相対的に高速スキャンし,前記光導波路を溶融する工程と,前記高速スキャンの状態で前記レ-ザビ-ムのパワ-を徐々に弱めて前記アモルファス層の下部付近を単結晶化する工程と,前記高速スキャンの状態で前記レ-ザビ-ムのパワ-を更に弱めて光導波路全体を単結晶化する工程を含むことを特徴とする光導波路の形成方法。
IPC (4件)：
G02B 6/12
, G02F 1/295
, H01L 21/20
, H01S 3/00
