金属/半導体/金属の積層構造を有する双方向ショットキーダイオード及びその形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：政木良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-099328
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311772
出願日： 2007年04月05日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】金属/半導体/金属の積層構造の双方向ショットキーダイオードの形成方法を提供する。【解決手段】下部電極104と上部電極114との間に挟持されるシリコン半導体層110を堆積する工程と、閾値電圧、降伏電圧、及び、オン/オフ電流比を有する双方向ショットキーダイオードを形成する工程と、双方向ショットキーダイオードの閾値電圧、降伏電圧、オン/オフ電流比をシリコン半導体層の膜厚112の制御によって調整する工程と、を備える。閾値電圧と降伏電圧は何れもシリコン半導体層の膜厚の増加に従って増加する。オン/オフ電流比に対してシリコン半導体層の最適膜厚が存在する。化学気相成長法またはDCスパッタリング法を用いて非晶質シリコンまたは多結晶シリコンの半導体層を形成する。シリコン半導体層はV族のドナー材料でドーピングできる。当該ドーピングによって閾値電圧は減少し、降伏電圧は増加する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン半導体から金属/半導体/金属の積層構造を有する双方向ショットキーダイオードを形成する方法であって、下部電極と上部電極との間に挟持されるシリコン半導体層を堆積する工程と、閾値電圧、降伏電圧、及び、オン/オフ電流比を有する前記双方向ショットキーダイオードを形成する工程と、前記双方向ショットキーダイオードの前記閾値電圧、前記降伏電圧、及び、前記オン/オフ電流比を前記シリコン半導体層の膜厚の制御によって調整する工程と、を備えることを特徴とする双方向ショットキーダイオードの形成方法。

IPC (6件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 27/10 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 49/02

FI (5件)：

H01L29/48 P , H01L29/48 F , H01L27/10 451 , H01L27/10 447 , H01L49/02

Fターム (50件)：

4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104CC03 , 4M104GG03 , 4M104GG16 , 4M119AA13 , 4M119AA19 , 4M119BB05 , 4M119DD02 , 4M119DD42 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119JJ03 , 4M119KK20 , 5F083FZ08 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083HA10 , 5F083JA21 , 5F083JA33 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083PR05 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR36

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,753,561号明細書

前のページに戻る