特許

J-GLOBAL ID：200903070285061281

シリコンデバイスの製造方法及びインクジェット式記録ヘッドの製造方法並びにシリコンウェハ

発明者： 高橋 哲司 ,  村井 正己
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 栗原 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-070765
公開番号（公開出願番号）：特開2003-266394
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月24日
要約：

【要約】【課題】 エッチングの際に外周面を確実に保護してエッチングの信頼性を向上することができるシリコンデバイスの製造方法及びインクジェット式記録ヘッドの製造方法並びにシリコンウェハを提供する。【解決手段】 シリコンウェハ100の少なくとも一方面に当該シリコンウェハ100をエッチングする際のマスクパターンとなるマスク膜55を形成すると共に当該シリコンウェハ100の少なくとも外周面に前記マスク膜55とのエッチングの選択性を有する保護膜110をスパッタリング法又は蒸着法により形成する工程と、前記シリコンウェハ100の他方面に前記薄膜パターンを形成する工程と、前記薄膜パターンの面を保護するエッチング保護層を形成する工程と、前記マスク膜55をパターニングして前記シリコンウェハ100のマスクパターンを形成する工程と、前記シリコンウェハ100を前記マスクパターン側からエッチングする工程とを具備する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に薄膜パターンを有するシリコンデバイスの製造方法において、シリコンウェハの少なくとも一方面に当該シリコンウェハをエッチングする際のマスクパターンとなるマスク膜を形成すると共に当該シリコンウェハの少なくとも外周面に前記マスク膜とのエッチングの選択性を有する保護膜をスパッタリング法又は蒸着法により形成する工程と、前記シリコンウェハの他方面に前記薄膜パターンを形成する工程と、前記薄膜パターンの面を保護するエッチング保護層を形成する工程と、前記マスク膜をパターニングして前記シリコンウェハのマスクパターンを形成する工程と、前記シリコンウェハを前記マスクパターン側からエッチングする工程とを具備することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。

IPC (9件)：

B81C 1/00 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  B81B 3/00 ,  H01L 21/306 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22

FI (8件)：

B81C 1/00 ,  B81B 3/00 ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 41/22 Z ,  H01L 41/08 D ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 21/306 B ,  H01L 41/08 C

Fターム (18件)：

2C057AF93 ,  2C057AG12 ,  2C057AG44 ,  2C057AG47 ,  2C057AG82 ,  2C057AG88 ,  2C057AP02 ,  2C057AP13 ,  2C057AP25 ,  2C057AP34 ,  2C057AP52 ,  2C057AP54 ,  2C057AQ01 ,  2C057AQ02 ,  2C057AQ10 ,  5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043GG10