特許
J-GLOBAL ID:200903070285397069
半導体発光素子および発光デバイス
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松永 孝義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-050740
公開番号(公開出願番号):特開平6-268251
出願日: 1993年03月11日
公開日(公表日): 1994年09月22日
要約:
【要約】【目的】 安価で大面積なアモルファス基板上に、アライメントが容易で、LEDの発光点の間隔が従来の約半分の半導体発光素子を提供する。【構成】 アモルファス基板1の両面に結晶成長法を用いて作製した多結晶の化合物半導体3、4内にpn接合を形成する。これをメサ構造としてLED20をアレイ状にし、石英ガラス基板1両側でメサ構造のpn接合に電流を注入して発光させる。
請求項(抜粋):
半導体材料がエピタキシャル成長が生じない基板の両面に形成された多結晶体もしくは多結晶膜であって、それぞれの多結晶体もしくは多結晶膜内に少なくともpn接合、pin接合を有し、p型半導体およびn型半導体にそれぞれ設けた電極間に電流を流してpn接合、pin接合で発光させることを特徴とする半導体発光素子。
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