P型ドーパントを含有する酸化亜鉛膜およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-564239
公開番号（公開出願番号）：特表2003-533006
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2003年11月05日
要約：

【要約】p型の酸化亜鉛膜ならびにそのような膜およびpn接合またはnp接合の製造方法が開示される。好ましい実施形態において、このp型の酸化亜鉛膜はヒ素を含有し、ヒ化ガリウム基板上に成長させられる。このp型の酸化亜鉛膜は、正味のアクセプタ濃度が少なくとも約1015アクセプタ/cm3であり、抵抗率が約1オーム-cm以下であり、かつホール移動度が約0.1cm2/Vs〜約50cm2/Vsである。

請求項（抜粋）：

p型ドーパントを含有し、そして少なくとも約1015アクセプタ/cm3の正味のアクセプタ濃度、約1オーム-cm以下の抵抗率、および約0.1cm2/Vs〜約50cm2/Vsのホール移動度を有する、基板上のZnO膜。

IPC (7件)：

H01L 29/22 , H01L 21/203 , H01L 21/225 , H01L 21/385 , H01L 31/10 , H01L 33/00 , H01S 5/327

FI (7件)：

H01L 29/22 , H01L 21/203 Z , H01L 21/225 D , H01L 21/385 , H01L 33/00 D , H01S 5/327 , H01L 31/10 A

Fターム (28件)：

5F041CA41 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA58 , 5F041CA67 , 5F041CA72 , 5F041CA73 , 5F049MA01 , 5F049MB01 , 5F049MB12 , 5F049PA09 , 5F049PA11 , 5F049PA20 , 5F049SS04 , 5F073CA22 , 5F073CB02 , 5F073CB17 , 5F073DA07 , 5F073DA13 , 5F073DA16 , 5F103AA01 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL02 , 5F103LL03 , 5F103LL04 , 5F103LL07 , 5F103NN01

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭62-124454
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-036363 出願人：株式会社東芝
II族-酸化物を含む光半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-072003 出願人：科学技術振興事業団

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