特許
J-GLOBAL ID：200903070287679223
半導体微粒子分散膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231694
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074720
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】半導体微粒子分散系において、マトリックス中の半導体微粒子のサイズのばらつき、結晶欠陥準位、界面準位等の局在準位を減少させ、量子井戸効果の高い半導体微粒子分散系を得ようとする製造方法。【構成】絶縁体をマトリックスとし、該マトリックスとその中に分散される半導体微粒子が3次元量子井戸を形成する半導体微粒子分散膜の製造法であって、該マトリックス及び該半導体微粒子がプラズマ化学気相成長法によって交互堆積されたアモルファスシリコン及びアモルファス窒化シリコンであることを特徴とする半導体微粒子分散膜の製造法。
請求項（抜粋）：
絶縁体をマトリックスとし、該マトリックスとその中に分散される半導体微粒子が3次元量子井戸を形成する半導体微粒子分散膜の製造方法であって、該マトリックス及び該半導体微粒子がプラズマ化学気相成長法によって交互堆積されたアモルファスシリコン及びアモルファス窒化シリコンであることを特徴とする半導体微粒子分散膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, C30B 30/00
, H01L 21/31
