特許
J-GLOBAL ID:200903070289364173
有機EL素子およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大垣 孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-173088
公開番号(公開出願番号):特開平9-022782
出願日: 1995年07月10日
公開日(公表日): 1997年01月21日
要約:
【要約】【目的】 低仕事関数の単体金属のみで構成された陰電極層を有しかつ発光特性の劣化が少ない有機EL素子を提供する。【構成】 少なくとも陽電極層13、単数あるいは複数の有機膜層15、陰電極層17をこの順に具える有機EL素子において、陰電極層17を、Mgから成り有機膜層15に対する付着層として主に機能する第1の層17aと、第1の層17a上に設けられMgから成り陰電極として機能し然も第1の層17aより緻密な第2の層17bとで構成してある。第1の層17aを形成する時のMg膜の蒸着速度を最少でも1nm/秒とし、第2の層17bを形成する時の蒸着速度を最大でも0.5nm/秒とする。
請求項(抜粋):
少なくとも陽電極層、単数あるいは複数の有機膜層、陰電極層をこの順に具える有機EL素子において、前記陰電極層を、単体の金属から成り前記有機膜層に対する付着層として主に機能する第1の層と、該第1の層上に設けられ前記金属から成り陰電極として機能し然も前記第1の層より緻密な第2の層とで構成してあることを特徴とする有機EL素子。
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