特許
J-GLOBAL ID：200903070297014661
半導体ウエハの冷却装置及びその冷却方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-047130
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326181
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 処理済みの半導体ウエハを汚染することなしに真空状態で急冷するために改善した半導体ウエハの冷却装置及びその冷却方法を提供する。【構成】 半導体ウエハ16を冷却する受け台14は、半導体ウエハ16の冷却中に受け台14に半導体ウエハ16を確実に保持する静電チャック12の部分と、半導体ウエハ16を冷却する熱伝導の部分との両方を含むウエハ冷却面15を備えている。受け台14におけるウエハ冷却面15の全体は鏡面仕上げになっており、ウエハ冷却面15と半導体ウエハ16との間に密接させる。そのため、アルゴンやその他の不活性ガスなどの熱伝達媒体を半導体ウエハ16と受け台14との間に配置する必要なく、半導体ウエハ16から水冷台16に至る十分な熱伝達がもたらされる。
請求項（抜粋）：
ウエハ冷却面を有する受け台(pedestal)と、前記ウエハ冷却面の一部に配置されて前記ウエハ冷却面の表面領域よりも小さい表面領域を占有し、前記ウエハ冷却面にウエハを保持する少なくとも一つの静電チャックとを備える半導体ウエハの冷却装置。
IPC (2件)：
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