特許
J-GLOBAL ID：200903070299109252
半導体レーザの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-343813
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186392
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザにおける共振器端面を、光学的にすぐれた平坦な鏡面とすることができるようにする。【解決手段】 基板1上に、少なくとも発光層と、光閉じ込め層とを含む積層構造半導体層を形成する工程と、この積層構造半導体層に、上記基板の表面にほぼ垂直な対を成す端面3を形成する工程と、これら端面3上に、これら端面に発生した微小凹凸を埋めるように、発光層と光閉じ込め層の少なくともいづれかと屈折率が同等ないしは近似した材料による表面層21を形成して共振器端面を形成する工程とを経て目的とする半導体レーザを構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも発光層と、光閉じ込め層とを含む積層構造半導体層を形成する工程と、該積層構造半導体層に、上記基板の表面にほぼ垂直な対を成す端面を形成する工程と、上記端面上に、該端面に発生した微小凹凸を埋めるように、上記発光層と上記光閉じ込め層の少なくともいづれかと屈折率が同等ないしは近似した材料による表面層を形成する工程とを有し、上記端面に上記表面層が形成されてなる共振器端面を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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