特許
J-GLOBAL ID：200903070306993082
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176861
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021017
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】半導体集積回路及び液晶表示装置に用いる薄膜トランジスタの電極や配線層の形成方法を含む半導体装置の製造方法に関し、銅やアルミニウムから成る導電体パターン膜の選択形成に用いた感光性マスクを剥離する際に、導電体パターン膜が剥離液と反応することで膜減りが生じて薄くなることを防止し、それが原因となる導電体パターン膜の高抵抗化を防止することを目的とする。【構成】基体11の上に導電体膜12と保護膜13とを順次形成した後、感光性膜のパターニングにより、保護膜13の上に感光性マスク14を形成し、その後、感光性マスク14に基づいて、保護膜13及び導電体膜12を順次エッチングして除去し、導電体パターン膜12Aを形成した後、感光性マスク14を剥離することを含み構成する。
請求項（抜粋）：
基体(11)の上に導電体膜(12)を形成する工程と、前記導電体膜(12)の上に保護膜(13)を形成する工程と、前記保護膜(13)の上に感光性膜を形成した後、前記感光性膜をパターニングし、感光性マスク(14)を形成する工程と、前記感光性マスク(14)に基づいて、前記保護膜(13)及び前記導電体膜(12)を順次エッチングして除去し、導電体パターン膜(12A)を形成する工程と、前記感光性マスク(14)を剥離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/302
, H01L 21/90
, H01L 29/40
, H01L 21/336
, H01L 29/784
H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 G
