特許

J-GLOBAL ID：200903070309152224

磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置

発明者： 福澤 英明 ,  上口 裕三 ,  岩崎 仁志 ,  大沢 裕一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-117237
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312515
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 オーバーレイド構造のスピンバルブGMR素子において、例えば狭トラック化した場合におけるバルクハウゼンノイズの発生を有効に抑制する。【解決手段】 所定の間隙をもって配置された一対のバイアス磁界印加膜20と、例えばCo含有磁性層を含む感磁層15を有し、一対のバイアス磁界印加膜20上に少なくとも両端部が積層するように形成されたスピンバルブGMR膜14とを有するスピンバルブGMR素子である。バイアス磁界印加膜20は、高飽和磁化磁性層22と硬磁性層21との積層膜を有している。高飽和磁化磁性層22は、感磁層14の飽和磁化Msfreeおよび硬磁性層21の飽和磁化Mshardに対し、Mshigh≧MsfreeおよびMshigh≧Mshardの少なくとも一方を満足する飽和磁化Mshighを有している。

請求項（抜粋）：

所定の間隙をもって配置された一対のバイアス磁界印加膜と、外部磁界により磁化方向が変化する感磁層と、前記感磁層上に順に積層形成された非磁性層および磁化固着層とを有し、前記一対のバイアス磁界印加膜上に少なくとも両端部が積層するように形成された磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給する一対の電極とを具備し、前記一対のバイアス磁界印加膜は、硬磁性層と高飽和磁化磁性層との積層膜を有し、かつ前記高飽和磁化磁性層の飽和磁化をMshigh、前記感磁層の飽和磁化をMsfreeとしたとき、前記高飽和磁化磁性層はMshigh≧Msfreeを満足することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01L 43/08 B