特許
J-GLOBAL ID：200903070314779979
非単結晶薄膜のレーザーアニール方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-129365
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330000
出願日： 1998年05月13日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 パルスレーザービームの強度ムラに起因して結晶化薄膜の結晶性ムラが生じて、この結晶化薄膜を用いて作製する素子の均一性及び歩留まりの向上が困難であった。【解決手段】 基板上の非単結晶薄膜に対してパルスレーザービームを走査させて重畳照射することにより結晶化する方法であって、前記パルスレーザービームの長軸方向とその走査方向とのなす角度αを5〜85度にして照射して結晶化させる。
請求項（抜粋）：
基板上の非単結晶薄膜に対してパルスレーザービームを走査させて照射して結晶化するに際し、パルスレーザービームを前記走査の方向に対して長軸方向を傾けて照射する非単結晶薄膜のレーザーアニール方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/268 F
, H01L 21/20
