特許

J-GLOBAL ID：200903070314868262

半導体デバイスの製造方法

発明者： 奥田 和幸 ,  浅井 優幸 ,  経田 昌幸
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-082278
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269532
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】ALD(Atomic Layer Deposition)法によりアミン系材料を用いて成膜を行う場合に優れた膜質の膜が形成できる半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】処理室201内にアミン系の第1の反応種を供給し、基板200表面に第1の反応種を化学吸着させる工程と、処理室から余剰な第1の反応種を除去するため水素ガスを用いてパージする工程と、処理室201内に、第1の反応種とは異なる第2の反応種を供給し、基板200表面の反応サイトに化学吸着させる工程と、処理室201から余剰な第2の反応種を除去するためパージガスによりパージする工程と、から成るステップを所望回数繰り返して基板上に所望の厚さの薄膜を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板を収容した処理室内にアミン系の第1の反応種を供給し、基板表面に前記第1の反応種を化学吸着させる工程と、 前記処理室から余剰な第1の反応種を除去するためパージガスによりパージする工程と、 前記処理室内に、前記第1の反応種とは異なる第2の反応種を供給し、基板表面の反応サイトに化学吸着させる工程と、 前記処理室から余剰な第2の反応種を除去するためパージガスによりパージする工程と、から成るステップを所望回数繰り返して基板上に所望の厚さの薄膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、 前記パージ工程の内、少なくとも前記余剰な第1の反応種をパージする工程において水素ガスを用いてパージすることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/455

FI (3件)：

H01L21/285 C ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

Fターム (14件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030EA03 ,  4K030EA08 ,  4K030FA01 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH16