特許
J-GLOBAL ID：200903070315164935
固体撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-026659
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222722
出願日： 1995年02月15日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】 多重反射によるスミア成分の絶対量を低減する固体撮像装置を得る。【構成】 シリコン基板上に複数個の光電素子と、シリコン基板1の表面部に光電変換素子2と離れて信号転送素子3と、シリコン基板1の表面に反射防止膜10と、シリコン基板上部に複数の転送電極4と、この転送電極上に層間絶縁膜6を介して遮光膜7とがそれぞれ形成されて構成される。反射防止膜10をシリコン表面1でかつ一部を遮光膜7の内側に形成する。この構成により、シリコン-遮光膜間の層間膜に入射した光は、少なくとも一度は反射防止膜10に達し、反射防止膜10によって多重反射が防止され、信号転送素子3の上部に達する前にシリコン基板1に吸収される。入射光が信号転送素子3上部のシリコン表面1に吸収され減少することから、多重反射によるスミア成分は減少しスミアは改善する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成された複数個の光電変換素子と、前記シリコン基板の表面部に前記光電変換素子と離れて形成された信号転送素子と、前記シリコン基板の表面に形成された反射防止膜と、前記シリコン基板上部に形成された複数の転送電極と、該転送電極上に層間絶縁膜を介して形成された遮光膜とを有することを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 B
, H04N 5/335 U
