多孔質珪素部材の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-102203
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275398
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】シリコン基板の導電型や抵抗に依存することのない、半導体分野への応用が可能な多孔質シリコン部材の作製方法を提供する。【構成】主にp型の単結晶シリコン基板3の裏面に均一な電極4を設け、該電極に陽極電位を印加し、別にハロゲン系元素を含んだ反応ガス9をプラズマ状態とし、電離発生するハロゲン元素イオン10を基板に電圧を加えることで基板方向へ引き寄せシリコン基板表面に微細孔エッチングを施す。また、プラズマからの発光により光を基板表面に照射して、その効果により正孔を供給できない所謂n型シリコン基板に対してもp型と同等の微細孔エッチングを施す。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板より離れた位置でハロゲン元素を含んだプラズマを形成し、同時に前記単結晶シリコン基板に陽極電位を印加することによって前記プラズマよりハロゲン元素イオンを基板方向へ引き寄せ、前記基板表面にnmオーダーの直径もしくは間隔で微細孔を形成することを特徴とする多孔質珪素部材の作製方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭54-101273
特開平4-048928
特開平1-307225

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